项目简介
相比TOF-SIMS，D-SIMS有更强的深度分析能力，分析深度能达到5-10um，且剖析过程中可以连续测试元素信息；深度分辨率和检出限比TOF高很多，分析面积100,200,300um见方居多，面积越大溅射速率越慢。

一般没有定量的D-SIMS的数据的纵坐标是计数，是强度，不同离子的产额不同，产额高的谱峰强，并不代表含量高，简单说就是强度和含量没有什么直接关系；

部分样品都可以定量分析（比如，常见的硅中各种掺杂 B, P,As等；各类化合物半导体及其多层结构等），取决于是否有合适的标准样品；

结果展示

有标样的：

掺杂深度剖析

样品要求

长宽5-10mm，厚度不超过1mm，真空保存，标记清楚测试面。

温馨提示

1、不定期推出各种优惠活动，详情咨询客服。

2、测试前联系在线客服确认测试条件、检测费用、检测周期等。

检测咨询热线：15071040697    黄工QQ：82187958

公司网站：www.sousepad.com   武汉铄思百检测技术有限公司

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