对于做半导体材料和光催化的同学来说，带隙是重要的参数，一般用紫外漫反射光谱来计算。今天铄思百检测小编，带来两种方法：切线法和Tauc plot法。
切线法
基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系，其中λg单位为nm，Eg单位为eV，认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度Eg。因此，可以通过求取λg来得到Eg。
具体操作：
1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，打开数据导入origin，生成散点图；
2.在Origin中，通过微分的方法找极值点：分析Analysis - 数学Mathematics - 微分Differentiate对紫外吸收光谱图求一次微分，并找到极值点，记录下来；
3.在紫外吸收光谱图中，过极值点作切线，根据切线方程即可求出λg。也可以读取该切线与x轴的交点即为吸收波长的阈值（λg）；
4.利用公式Eg=1240/λg求取半导体的禁带宽度，其中λg单位为nm，Eg单位为eV。
这种方法是一种简易的求取半导体禁带宽度的方法，可以快速得出禁带宽度，有少部分人用但文献中比较少见，用于粗略的计算，简单来考量半导体的禁带宽度。如果想得出比较准确的值，尽量选择下面的Tauc plot法，且在论文中用的也更多些。
Tauc plot法
这种方法之所以能够得到半导体的禁带宽度，主要是基于Tauc、Davis、Mott等人提出的公式，俗称Tauc plot，
计算公式如下：
（ αhv）1/m=B(hν-Eg)直接带隙：m=1/2间接带隙：m=2
α为吸收系数，B为常数，hv为光子能量，h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s，ν 为入射光子频率，Eg表示半导体禁带宽度（带隙）
具体操作：
1. 打开紫外漫反射光谱数据，按照公式分别求(αhv)1/m和 hv ，其中hv=hc/λ，c为光速，λ为光的波长（通过漫反射光谱所测得的谱图，横坐标是波长，纵坐标一般为吸光度值，如果是透射率，可以转换为吸光度）；
2. 将 hv 和(αhv)1/m的值导入origin，分别为x轴和y轴，在origin中以(αhv)1/m对 hv 作图散点图；
3. 在步骤2的曲线中可以看到，图大概是先转个弯，然后有一段近似线性。在图上找到其中的直线段延长到X轴，它与x轴的交点就是禁带宽度。
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