一、四探针电导率介绍

电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很多，如三探针法、电容---电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，在半导体工艺中最为常用。其主要优点在于设备简单，操作方便，精确度高，对样品的几何尺寸无严格要求。四探针法除了用来测量半导体材料的电阻率以外，在半导体器件生产中广泛使用四探针法来测量扩散层薄层电阻，以判断扩散层质量是否符合设计要求。

二、四探针测试仪发展史

1865 年 首次提出四探针测试原理 汤姆森 ；

1920 年 第一次实际应用，测量地球电阻率 Schlunberger ；

1954 年 第一次用于半导体电阻率测试 Valdes；

1980 年代 具有Mapping 技术的四点探针出现；

1999 年 开发出首台微观四点探针 Pertersen。

三、四探针测试原理图

四根等距探针竖直的排成一排，同时施加适当的压力使其与被测样品表面形成欧姆连接，用恒流源给两个外探针通以小电流 I，精准电压表测量内侧两探针间电压 V，根据相应理论公式计算出样品的薄膜电阻率。

四、四探针测试方法分类

最为常用的测试方法为直线（常规）四探针法和双电测四探针法。

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