No. 1技术指标
纵向分辨率：2-10nm
离子源：Cs离子及O离子
束斑及能量：30um及以上
质量比分辨率：>4000
杂质检测限：ppm-ppb级别
No.2擅长样品
Si、GaN、SiC、III-V、II-VI块体及半导体薄膜材料微量掺杂元素的深度剖析
No.3定量分析
Si基（P、B、C、H、O等）
GaN基（Mg、Si、C、H、O等）
SiC基部分元素定量分析
No.4工作原理
SIMS可以探测浓度非常低的掺杂和杂质，也可以提供从几nm到几十µm范围内的元素深度分布。一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子分子或原子团的二次发射，即离子溅射。溅射的粒子一般以中性为主，其中有一部分带有正、负电荷，这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。SIMS具有很高的灵敏度，可达到ppm甚至ppb量级。
No.5应用范围
1、掺杂和杂质深度分析
2、薄膜的组成和杂质的测量（金属、介电质、Si、III-V和II-VI材料）
3、浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析
4、块材分析，包括Si中的B, C, O和 N元素
5、芯片分析，芯片结构及杂质元素定性定量分析，包括LED芯片、功率器件、SiC、氧化镓等半导体芯片
收费标准及样品要求
案例图片
其他注意事项
1、Unit：指一个测试条件，根据样品复杂情况或者耗时情况而定
2、SIMS测试条件比较复杂，不同基体材料，测不同的元素都可能不一样，具体报价要看样品具体结构和测试要求。
3、SIMS最小束斑：几十个微米
4、多孔结构不建议测SIMS，孔会影响深度分辨率
5、常规的动态SIMS测试因为表面状态的影响，表面10-20 nm 内不准确，因此需要测试稳定后读取数值；
6、有机薄膜的成分涉及到标样选择，因为基底是有机薄膜，Cameca SIMS为磁质谱SIMS，很可能无法精确定量，应该选择Tof-SIMS做定性分析；
7、芯片SIMS因为尺寸小，结构复杂，需要对其进行前处理，包括了抛光或者去除电极等操作，具有样品处理的额外收费，另外尺寸小定位分析耗时长，因此相对wafer或者Bulk样品会有上浮。