SIMS和TOF-SIMS的区别？SIMS和TOF-SIMS是一个意思，飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），也叫静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱SIMS结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能，是目前高技术领域广泛使用的分析技术。

今天铄思百检测小编顺便带大家详细了解一下TOF-SIMS吧。

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是非常灵敏的表面分析技术，可以提供样品表面与界面、薄层材料以及三维块材中的元素、同位素、分子结构等信息。其应用范围非常广，包括半导体、金属、有机物、玻璃、陶瓷、纸、生物材料、药物、油漆涂料等等。

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）设备功能

1. 表面质谱

     获得样品表面的包括所有元素、同位素、分子结构等的二次离子质谱信息，正离子、负离子需要分别进行测试。分析源为液态金属离子源（LMIG），有Bi⁺, Bi₃⁺,和Bi₃⁺⁺离子。

2. 深度剖析

    深度剖析功能可获得元素、同位素、分子结构等的二次离子的深度分布情况。溅射源有Cs源和EI源(O₂)，一般需提前根据测试需求判断选择哪种溅射离子源。

3. 表面成像

表面成像功能可以得到元素、同位素、分子结构等的二次离子的面内分布情况。质谱模式探测信号强，横向分辨率差（3~10 μm），成像模式探测信号弱，横向分辨率高（~100 nm）。

4. 数据重构

测试过程中所有的二次离子信息（正离子或者负离子）都被采集，可按照需求对二次离子进行数据重构分析，获得相应的表面质谱、表面成像、深度分布及三维分布情况。

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）原理

TOF-SIMS主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析[1]。

二次离子质谱主要利用质谱法区分一次离子溅射样品表面后产生的二次离子，可用来分析样品表面元素成分和分布。

飞行时间分析技术利用不同离子的质荷比不同造成的飞行速度不同来区分不同种类的离子。

TOF-SIMS结合了二次离子质谱和飞行时间器的功能，提高了检测样品元素成分和分布的准确性。

TOF-SIMS横向和纵向的分辨率高且质谱提供的灵敏度高，可以分析元素、同位素、分子等信息。

这些特点使得TOF-SIMS成为表面分析的主要技术之一，可以提供EDX、AES、XPS等技术无法提供的元素信息.

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