sims测试截面需要切割吗？制备截面或剖面的时，最怕引入新的污染或造成交叉污染，因此需要采用离子束剖面切割来制备样品。
TOF-SIMS主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析
图2 TOF-SIMS 机理图
二次离子质谱主要利用质谱法区分一次离子溅射样品表面后产生的二次离子，可用来分析样品表面元素成分和分布。
飞行时间分析技术利用不同离子的质荷比不同造成的飞行速度不同来区分不同种类的离子。
TOF-SIMS结合了二次离子质谱和飞行时间器的功能，提高了检测样品元素成分和分布的准确性。
TOF-SIMS横向和纵向的分辨率高且质谱提供的灵敏度高，可以分析元素、同位素、分子等信息。
这些特点使得TOF-SIMS成为表面分析的主要技术之一，可以提供EDX、AES、XPS等技术无法提供的元素信息。
接下来铄思百检测小编带大家了解更多关于SIMS的测试常见问题及解答
1.通常提到的是高分辨高灵敏度表面分析系统吗？
TOF-SIMS是高空间分辨和高探测灵敏度的成分分析系统；
2.3D重构图是需要自己分析画出吗？
专用软件对数据处理；
3.请问数据分析要使用特定的软件吗？
是专用软件；质谱图可以导出用EXCEL打开的格式；
4.单颗粒面积太小深度剖析会不会荷电很差，导致结果不准？
看材料荷电效应，单颗粒尺寸大小；
5.能不能定量测呢，包括成分？
需要标准样品可以定量分析；
6.FIB与SIMS联用，边缘效应怎么处理呢？
FIB加工后的断面，在SIMS分析前需要用离子源再清洁后再测试；
7.分析深度能达到多少？
表面是小于2nm, 结合溅射离子源可以到微米深度；
8.皮肤断面怎么切才能没有杂质
采用冷冻显微薄片切片机在冷冻条件下制备截面样品
9.高聚物表面的亲水基团的伸展方向和深度能测么？
通过团簇离子源深度剖析的方法可以试试；
10.矿物浮选剂方面做的多不？
可以
11.深度剖面横坐标时间与深度如何转换？
首先获得溅射速率，通过溅射速率可以把时间转换成深度；（软件和EXCEL都可以实现）
12.能分析的最小厚度是多少？
深度剖析最小可以分析1个纳米的厚度；
13.测试了无机物的深度剖析，界面上本来，成分不该有变化，但是也有一个起跳可能是什么原因？
第一看仪器测试条件的稳定性如何？（total ion/ 以及其它特征离子是不是都有回跳？如果都有回跳，可能是测试条件不稳定）， 如果只是特别元素回跳而其它离子比较正常，那很可能是真实的界面扩散；还有就是基体效应的影响；总之还是要看实际情况而定；
14.可以对样品仅金属截面机械抛光后进行TOFSIMS测量？
污染干扰太多，这样制样可以测，但数据太杂；
15.生物或植物组织石蜡包埋切断面会影响结果吗？
可以测，但测之前最好用团簇离子源剥离表面再测比较好；
16.Si负极固态电解质膜做Depth profile?
真空兼容性好的，都可以测试；
17.AuS2如何确认呢，有硫的话会有各种硫成分？
分别采集正负离子图谱，Au在正负离子模式下都有明显的产额，伴随Aux 团簇离子；S、SOx主要在负离子模式下产额高，S/SO/SO2/SO3这些离子都会出现，AuxSy 或AuxSOy这种离子也会出现；
18.组织如果不冷冻如何固定在硅片上？
需要冷冻或干燥态
19.hitachi的FIB-tof-sims，这个设备怎么样呢？
FIB+TOF的这种系统，成像很好（空间分辨率高），但质量分辨不如专用的TOF-SIMS；适合无机材料，不适用有机高分子材料成分剖析（大分子离子产额低，质量分辨率差）。