我们知道在电镜拍摄之前都需要对样品进行制样，不同的样品也对应了不同的制样方法，那么我们为什么需要对样品进行制样处理呢？我们来看一下透射电镜的样品杆就明白了。
图1 透射电镜样品杆示意图
我们的样品最终会放置在TEM样品杆前端的卡槽中，需要满足以下三点要求：
1、透射电子束一般能穿透厚度为100nm以下的薄层样品；
2、透射电镜样品台只可以放入直径3mm的圆片；
3、透射电镜样品室真空度要求：10-7—10-8Pa级别。
所以我们需要拍摄的样品需要足够小，另外不能含水等其他挥发性物质，以免真空设备无法运转，从而导致电子枪无法工作。
常用制样方法
下面我们就来看看常见的样品分类，以及对应的制样方法。
从下表中可以看到，样品主要分为四种类型，粉末、块体、薄膜、高分子生物样品。日常我们用的比较广泛的就是粉末制样和块体制样，所以我们重点介绍这两种制样方式。
首先是粉末制样的流程：
TEM粉末样制备流程
如上图所示，其制样流程是非常清晰的，然而对于其中关键性的支撑材料应该如何选择呢？
在选择之前我们要先了解清楚支撑材料的组成：载网+支持膜。
载网就是我们通常使用比较多的，Cu网、Ni网、Mo网，而支撑材料就是普通碳膜、微栅碳膜和超薄碳膜。
载网形状和孔洞大小
铜网、镍网、钼网的形状基本一样，通常是直径3mm（200目）。
上图就是三种常用的支持膜，普通碳膜、微栅碳膜和超薄碳膜。
那么大家肯定很疑惑，对于不同类型的粉末样品，具体应该怎么选择呢？我们给大家列出了以下表格供大家参考哦。
对于不同尺寸大小的样品，以及拍摄目的要针对性的选择适合自己的载网膜哦。
粉末制样的介绍就到这里，除了粉末外，对于一些块体样品制样方法有哪些呢，我们重点介绍两种相对成功率比较高的方式，离子减薄和FIB切割制样技术。
首先离子减薄，是采用氩离子源轰击样品，样品穿孔后调节离子源角度逐渐打薄样品。
在进行离子减薄之前，我们需要对样品进行磨薄处理，手磨或者是进行机器切割打磨，从而能获取到直径3mm，厚度20微米的薄片，然后才可以上机进行离子减薄。
图为离子减薄前样品准确流程示意图
图为离子减薄前常用制样设备
通过离子减薄后最终是获得一个直径3mm的圆片，然后需要拿到透射电镜下面进行初步观察，如果出现合适拍摄高分辨的薄区即为成功。
下面给大家介绍另外一种精准定位切割技术--FIB-SEM
图为Ga离子源轰击样品示意图
以及FIB切割转移样品示意图
具体流程如下示意图：
送样要求：
长宽小于20mm，高不超过10mm
不导电样品提前喷金或者喷碳
标记切割位置，保留二次电子图
TEM制样要求：一般要求减薄厚度100nm以下；
球差制样要求：减薄厚度30nm左右为佳。